En la década del 50 el germanio era el semiconductor de moda, pero el interés en este material decayó notablemente desde que las aplicaciones en microelectrónica resultaron ser mucho más fáciles usando silicio. En los últimos años, sin embargo, el germanio ha resucitado como material del futuro, no sólo por el agotamiento de las posibilidades tecnológicas del silicio sino también porque la estructura de bandas del germanio permite nuevas aplicaciones ópticas de gran interés. Naturalmente, este renacimiento ha sido acompañado por nuevas formas de crecer cristales que permiten niveles de pureza, de nivel de dopaje, y de uniformidad de tal dopaje que eran imposibles en los viejos tiempos. Esta charla se concentra en varios resultados elementales obtenidos en tales muestras. Específicamente, discutimos la ionización de donantes a altas concentraciones, cómo la  constante de red depende del dopaje, la aparición de singularidades de Fermi en la constante dieléctrica de materiales altamente dopados, y efectos de resonancia en la absorción indirecta de luz. En todos estos tópicos la existencia de muestras de alta calidad ha hecho posible obtener resultados inéditos y en algunos casos sorprendentes.