El portal Physics de la APS menciona un trabajo realizado por los tesistas Shao Tang (Magnet Lab, USA) y Federico Tesler, doctorando del Prof. DF Marcelo Rozenberg, en colaboración con investigadores de CNEA . Se ha reportado la existencia de ondas de choque de escala nanométrica como causantes del funcionamiento de nuevos dispositivos de memoria electrónica no-volátil (“memristores”) basados en óxidos de metales de transición. Estas ondas de choque describen la migración de vacancias de oxígeno entre las distintas regiones del dispositivo bajo la acción de un fuerte campo eléctrico externo.
El pasaje de la onda de la zona de interfase (Schottky) al interior del dispositivo genera un abrupto cambio en la resistencia del sistema. Los dispositivos memristores, basados en el fenómeno de Conmutación Resistiva, almacenan información en forma de estados de alta y baja resistencia. Estas memorias no-volátiles (como las llaves USB) son una nueva tecnología para la próxima generación de dispositivos electrónicos con posibles aplicaciones neuromórficas. La investigación presentada en este trabajo provee un nuevo enfoque sobre el comportamiento del sistema durante el abrupto cambio de resistencia, permitiendo entender mejor aspectos fundamentales como la velocidad de conmutación de las memorias. 

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http://physics.aps.org/synopsis-for/10.1103/PhysRevX.6.011028