Pablo Levy

Grupo Materia Condensada-CAC-CNEA

Jueves 24/6/2010, 14 hs
Aula Federman, 1er piso, Pabellón I 

Estudiamos interfaces metal óxido como prototipos para dispositivos de memoria no volátil, los que registran información en diferentes estados resistivos, constituyendo el cuarto elemento pasivo de circuitos, llamado "memristor". Este tipo de dispositivos es uno de los varios candidatos a reemplazar a las actuales memorias RRAM. Adicionalmente, los memristors permiten realizar operaciones lógicas, y han sido presentados como sistema modelo para el estudio de sinapsis. Presentamos resultados obtenidos sobre una interfaz de manganita Ag sometida a diferentes protocolos de pulsado eléctrico a temperatura ambiente. Las mediciones ponen en evidencia la conmutación entre estados de alta y baja resistencia. Se observa que tanto la resistencia remanente como la resistencia dinámica de los electrodos pulsados poseen características eléctricas complementarias. Este comportamiento puede ser entendido en términos del movimiento de vacancias de oxigeno provenientes del volumen del material, que se desplazan desde y hacia la interfaz. Usando un modelo fenomenológico, elaboramos sobre los mecanismos involucrados.